П217Б

На постоянной основе приобретаем транзисторы типа П217Б из производственных остатков, производственных резервов промышленного назначения, неликвидов организаций и предприятий.

П217Б
Транзисторы П217Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Основные технические характеристики транзистора П217Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 20
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

Ваши предложения просьба отправлять на наш электронный адрес.
В ваших предложениях уточняйте: есть ли заводская упаковка, производителя, объем предлагаемой партии транзисторов, состояние и маркировку.