П216Б

На постоянной основе покупаем транзисторы серии П216Б из неликвидов промышленных предприятий и организаций, невостребованного имущества промышленного назначения, сверхнормативных остатков промышленного назначения.

П216Б
Транзисторы П216Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Основные технические характеристики транзистора П216Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт
fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Предложения просьба отправлять на электронную почту.
В ваших предложениях, просим, указывайте: условия хранения, объем предлагаемой партии, маркировку и есть ли фабричная упаковка у товара.