П213Б

Регулярно закупаем транзисторы П213Б из резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов.

П213Б
Транзисторы П213Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Основные технические характеристики транзистора П213Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт
fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом

Предложения просьба направлять на наш электронный адрес.
В предложениях, пожалуйста, уточняйте: состояние транзисторов типа П213Б, маркировку, условия хранения, производителя и количество товара.