КТ835А

Выкуп транзисторов серии КТ835А - все что у вас есть из сверхнормативных запасов, невостребованных активов промышленного назначения.

КТ835А
Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ835А:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (30В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,35 Ом

Все предложения просим направлять по любым нашим контактам.
В предложениях, просим, указывайте: условия хранения изделий, производителя деталей, маркировку и состояние.