КТ605БМ

Купим транзисторы серии КТ605БМ - любое количество из производственных неликвидов промышленного назначения, складских остатков предприятий, складских резервов.

КТ605БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном КТ605А, КТ605Б с гибкими выводами и пластмассовом КТ605АМ, КТ605БМ корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, в пластмассовом - не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ605БМ:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,4 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 20 мкА (250В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 400 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 250 пс

Предложения просьба направлять по любым контактам.
В ваших предложениях, просим, уточняйте: производителя транзисторов КТ605БМ, маркировку товара, объем партии и условия хранения транзисторов серии КТ605БМ.