КТ501Ж

Срочный выкуп транзисторов серии КТ501Ж - ваше количество из невостребованного имущества промышленных предприятий, производственных неликвидов, сверхнормативных резервов.

КТ501Ж
Транзисторы КТ501Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Основные технические характеристики транзистора :
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (10кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом

Все предложения просим направлять на электронную почту.
В своих предложениях указывайте: дата выпуска, производителя транзисторов КТ501Ж и количество.