КТ349В

Срочно закупаем транзисторы типа КТ349В - все что у вас накопилось из производственных остатков, производственных неликвидов организаций и промышленных предприятий.

КТ349В
Транзисторы КТ349В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях сигналов высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном и в пластмассовых корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ349В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 120... 300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом

Ваши предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: количество изделий, состояние, производителя, год выпуска деталей и маркировку изделий.