Приобретаем микросхемы серии КР159НТ1В из резервов промышленного назначения, сверхнормативных остатков предприятий и организаций.
КР159НТ1В
Микросхемы КР159НТ1В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение коллектор-база ....... 20 В
- Напряжение эмиттер-база ....... 4 В
- Напряжение между транзисторами ....... 20 В
- Ток коллектора постоянный ....... 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) ....... 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) ....... 50 мВт
Все ваши предложения просим направлять по любым нашим контактам.
В ваших предложениях, пожалуйста, отображайте: есть ли заводская упаковка, количество деталей, дата выпуска и производителя.
У товара пока нет отзывов, но Вы можете стать первым!