КП364Г

Регулярно покупаем транзисторы серии КП364Г из сверхнормативных остатков промышленного назначения, неликвидов, сверхнормативных резервов промышленного назначения.

КП364Г
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой КП364Д, КП364Е и низкой КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Ж, КП364И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзистор КП364Г предназначен для применения в заоядочувствительных усилителях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается На корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора КП364Г:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В
Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
Iс нач - Начальный ток стока: 3... 12 мА
S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В (10В)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ

Все предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях указывайте: условия хранения, объем предлагаемой партии, производителя, наличие заводской упаковки и состояние товара.