КП307Е-1

Закупаем транзисторы КП307Е-1 из производственных запасов промышленных предприятий и организаций, невостребованных активов предприятий и организаций.

КП307Е-1
Транзисторы КП307Е-1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Основные технические характеристики транзистора КП307Е-1:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 2,5 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В
Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 5 мА
S - Крутизна характеристики: 3... 8 мА/В (10В)

Все ваши предложения просим направлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: дата выпуска, производителя, маркировку изделий и количество.