КП307Б

Приобретаем транзисторы типа КП307Б из складских остатков, производственных запасов промышленного назначения.

КП307Б
Транзисторы КП307Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КП307Б:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 5 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В
Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 15 мА
S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (10В)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ

Все предложения просим отправлять на электронную почту.
В своих предложениях уточняйте: объем партии, производителя, состояние и маркировку изделий.