2Т920Б

Приобретаем транзисторы серии 2Т920Б из сверхнормативных запасов промышленного назначения, складских резервов, невостребованных активов.

2Т920Б
Транзисторы 2Т920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т920Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 4 мА (36В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4,5 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 175 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс

Все предложения просим направлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях, просим, уточняйте: состояние, количество товара и год выпуска.