2Т9136АС

Приобретаем транзисторы 2Т9136АС из производственных запасов промышленного назначения, производственных остатков.

2Т9136АС
Сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9136АС:
Структура транзистора: n-p-n
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 700 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 140 мА (60В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 260 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 500 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс

Ваши предложения просьба направлять по нашим контактам.
В ваших предложениях, просим, указывайте: дата выпуска, есть ли фабричная упаковка и условия хранения товара.