2Т9101АС

Регулярно приобретаем транзисторы типа 2Т9101АС из складских остатков промышленного назначения, резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов.

2Т9101АС
Сборки 2Т9101АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350...700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для каждого транзистора.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Основные технические характеристики 2Т9101АС:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 128 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (50В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 700 МГц
tрас - Время рассасывания: не более 45 нс

Все ваши предложения просим направлять по любым контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, отображайте: есть ли заводская упаковка у, год выпуска, производителя, маркировку изделий и объем партии.