2Т909Б

Выкуп транзисторов 2Т909Б - все что у вас есть из складских резервов промышленных предприятий, складских неликвидов промышленного назначения, сверхнормативных остатков организаций.

2Т909Б
Транзисторы 2Т909Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т909Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 54 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 мА (60В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 500 МГц
tрас - Время рассасывания: не более 20 нс

Все ваши предложения просьба направлять на электронную почту.
В своих предложениях, просим, уточняйте: дата выпуска, есть ли фабричная упаковка у транзисторов, условия хранения, количество и производителя.