2Т878Б

Выкуплю транзисторы типа 2Т878Б - все что у вас накопилось из резервов промышленного назначения, невостребованного имущества промышленного назначения.

2Т878Б
Транзисторы 2Т878Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 17 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т878Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 800 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (800В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 12... 50
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,1 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 3000 нс

Ваши предложения просьба отправлять на наш электронный адрес.
В предложениях, пожалуйста, отображайте: условия хранения товара, количество, год выпуска товара и есть ли упаковка у.