2Т836А

Регулярно закупаем транзисторы серии 2Т836А из сверхнормативных остатков промышленного назначения, производственных неликвидов, производственных запасов промышленного назначения.

2Т836А
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0058 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т836А:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 90 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (300В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Ваши предложения просим отправлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: наличие упаковки, дата выпуска изделий, объем предлагаемой партии изделий, маркировку изделий и производителя товара.