2Т313Б

Срочно приобрету транзисторы типа 2Т313Б - все что у вас накопилось из производственных запасов организаций, сверхнормативных резервов предприятий, невостребованного имущества промышленного назначения.

2Т313Б
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б и пластмассовом КТ313А1, КТ313Б1, КТ313В1, КТ313Г1 корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т313Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Все предложения просим отправлять по контактам.
В ваших предложениях, просим, указывайте: наличие заводской упаковки у, объем партии товара, условия хранения и производителя.