2Т312Б

Приобретаем транзисторы серии 2Т312Б из сверхнормативных резервов промышленного назначения, невостребованных активов организаций и промышленных предприятий, производственных запасов.

2Т312Б
Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т312Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 120 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25...100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс

Все ваши предложения просьба отправлять на наш email.
В своих предложениях указывайте: объем партии, условия хранения транзисторов типа 2Т312Б, маркировку и год выпуска деталей.