2Т3108В

На постоянной основе приобретаем транзисторы 2Т3108В из невостребованных активов организаций и промышленных предприятий, резервов промышленного назначения, складских неликвидов промышленного назначения.

2Т3108В
Транзисторы 2Т3108В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.
Предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3108В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (10кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,2 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100... 300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 100 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 250 пс

Предложения просим отправлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях отображайте: год выпуска, производителя и количество.