2Т211Б-1

Приобрету транзисторы серии 2Т211Б-1 - ваше количество из неликвидов промышленного назначения, невостребованного имущества промышленного назначения, сверхнормативных запасов.

2Т211Б-1
Транзисторы 2Т211Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на возвратной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т211Б-1:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 25 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (15В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 240
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц

Ваши предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях уточняйте: состояние, год выпуска, количество и условия хранения.