2Т208И

Закуплю транзисторы типа 2Т208И - любое ваше количество из сверхнормативных запасов промышленных предприятий, невостребованных активов организаций и промышленных предприятий, складских остатков предприятий и организаций.

2Т208И
Транзисторы 2Т208И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т208И:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом

Все предложения просим направлять по нашим контактам.
В предложениях отображайте: условия хранения, наличие упаковки у деталей, маркировку и состояние.