2Т208Г

Регулярно выкупаем транзисторы типа 2Т208Г из производственных неликвидов, сверхнормативных резервов промышленных предприятий.

2Т208Г
Транзисторы 2Т208Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т208Г :
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом

Все ваши предложения просьба направлять на email.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: маркировку, условия хранения, есть ли заводская упаковка у, состояние деталей и производителя.