1Т806В

Выкуп транзисторов 1Т806В - любое ваше количество из складских резервов организаций, производственных запасов промышленного назначения, невостребованных активов.

1Т806В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т806В:
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом

Предложения просьба отправлять на наш email.
В своих предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения, маркировку и наличие упаковки.